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首頁?>?產品目錄?>?DBR激光二極管，冷原子、BEC設備

產品圖片	產品名稱/型號	產品簡單介紹
	922nmDBR激光器 922DBRH	922nmDBR激光器是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。它具有超窄線寬（0.5MHz）、大功率輸出（180mW）、超高穩(wěn)定性等優(yōu)點，主要應用于原子冷卻。 922nmDBR激光器將光柵放置于有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊，能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。
	920nmDBR激光器 920DBR	920nmDBR激光器是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。它具有超窄線寬（0.5MHz）、大功率輸出（180mW）、超高穩(wěn)定性等優(yōu)點，主要應用于原子冷卻。 920nmDBR激光器將光柵放置于有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊，能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。
	808nmDBR激光器 808DBRH-TO8	808nmDBR激光器是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。它具有超窄線寬（0.5MHz）、大功率輸出（180mW）、超高穩(wěn)定性等優(yōu)點，主要應用于原子冷卻。 DBR激光管將光柵放置于有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊，能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。
	800nmDBR激光器 800DBRH	800nmDBR激光器是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。它具有超窄線寬（0.5MHz）、大功率輸出（180mW）、超高穩(wěn)定性等優(yōu)點，主要應用于原子冷卻。 800nmDBR激光器將光柵放置于有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊，能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。
	778nmDBR激光器 778.105nm	778nmDBR激光器是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。它具有超窄線寬（0.5MHz）、大功率輸出（180mW）、超高穩(wěn)定性等優(yōu)點，主要應用于Rb原子雙光子躍遷。
	894nmDBR激光器 894.592DBR	894nmDBR激光器是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。主要應用于Cs原子光譜研究、Cs原子鐘、Cs磁力儀、原子干涉儀等領域。 894nmDBR激光器將光柵放置于有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊，能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。該激光器輸出線寬小于1MHz，輸出功率40-240mW，無跳模調諧范圍寬（2nm）、穩(wěn)定性好，可以提供多種封裝形式。調制頻率可達6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。
	770nm可調諧激光管 770.108DBRH-TOSA	770nm可調諧激光管是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成，主要應用于K原子冷卻、K原子精密譜線研究、K原子泵浦等領域。770nm可調諧激光管線寬小于1MHz、輸出功率40-80mW，無跳模調諧范圍寬，穩(wěn)定性好，目前國內外的多家實驗室都在使用。DBR激光二極管可以提供多種封裝形式：C-mount、CS封裝、TO-8封裝、蝶形封裝、TOSA封裝等，調制頻率可達6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。
	795nmDBR激光器 794.978DBRH-TO8	795nmDBR激光器是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。它具有超窄線寬（0.5MHz）、大功率輸出（180mW）、超高穩(wěn)定性等優(yōu)點，主要應用于Rb原子光譜研究、Rb原子鐘、重力計、磁強計、原子干涉儀等領域。調制頻率可達6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。 795nmDBR激光器將光柵放置于有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊，能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。另外，795nmDBR激光器可以提供多種封裝形式：C-mount、CS封裝、TO9mm封裝、TO-8封裝、蝶形封裝、TOSA封裝等，不同封裝對應不同的Mount，方便用戶使用。
	852nm可調諧激光管 852.347DBRH-TOSA	852nm可調諧激光管：852nm TOSA系列高功率、邊發(fā)射激光二極管是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。主要應用于Cs原子鐘、重力計、磁強計、原子干涉儀、太赫茲等領域。852nm單頻激光二極管符合MIL883**標準，已大量應用在航天領域。該激光二極管采用TOSA封裝，帶有軟性連接線，激光線寬小于1MHz，輸出功率40-280mW，無跳模調諧范圍寬，穩(wěn)定性好，更加方便用戶使用。調制頻率可達6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。【852nm可調諧激光管】
	767nm可調諧激光器 766.700DBRH-TO8	767nm可調諧激光器是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成，主要應用于K原子光譜、K原子冷卻、K原子泵浦研究等領域。 767nm可調諧激光器采用單步分子束外延生長而成，使生產成本更加低廉，并且保證了低內部損耗和高輸出功率。輸出激光線寬小于1MHz，輸出功率40-80mW，更寬的無跳模調諧范圍，超高穩(wěn)定性。調制頻率可達6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。多種封裝形式供選擇。
	1064nm脈沖激光種子源 1064DBR	1064nm脈沖激光種子源由Photodigm公司的DBR激光二極管與T165驅動電源構成。該1064nm脈沖激光種子源具有穩(wěn)定性好、脈沖均勻，模式穩(wěn)定等特點，非常適合應用在光纖激光器或固體激光器中做種子源。也可以應用于實踐分辨熒光光譜學和相干雷達等領域。1064nm脈沖激光種子源脈沖寬的：100ps-850ns，驅動電流0-700mA，帶有觸發(fā)功能方便用戶使用。
	854nmDBR單頻激光器 854.209DBRH-TOSA	854nmDBR單頻激光器是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。它具有超窄線寬（1MHz）、大功率輸出、超高穩(wěn)定性等優(yōu)點，主要應用于鈣離子囚禁、光頻標等領域 854nmDBR單頻激光器將光柵放置于有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊，能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。調制頻率可達6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。
	852nm可調諧激光二極管 852.347DBRH-TO8	852nm可調諧激光二極管由美國Photodigm公司生產，它可以提供衍射極限且單縱模輸出的激光光束，主要應用在Cs原子光譜、Cs磁強計、Cs原子鐘、原子干涉儀等設備中。 852nm可調諧激光二極管將光柵放置于有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊，能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。輸出激光線寬可達0.5MHz，功率40-280mW，無調模調諧范圍30-60GHz。電流調諧系數1GHz/mA，調制頻率可達6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。可以提供多種不同的封裝形式。
	1083nmDBR激光器 1083.33DBRL-TO8	1083nmDBR激光器是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成，應用范圍包括：光譜學、He磁力儀、光纖放大器種子源、差頻振蕩、替代低功率固體激光器等。 1083nmDBR激光器將光柵放置于激光有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊，能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。1083nm激光二極管的線寬小于1MHz，輸出功率40-120mW，具有非常好的穩(wěn)定性。調制頻率可達6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。
	780nm可調諧激光器 780.241DBR	780nm可調諧激光器： 780nm TOSA系列高功率、邊發(fā)射DBR激光二極管由美國Photodigm公司生產。它可以提供衍射極限且單縱模輸出的激光光束。主要應用于Rb原子鐘、重力計、原子干涉儀等設備中。780nm可調諧激光器線寬小于1MHz，無調模調諧范圍可達2nm，輸出功率40-180mW，具有非常好的穩(wěn)定性。調制頻率可達6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。780nm Mercury系列產品已通過MIL883**標準測試，目前已大量應用在航天領域。
	760nm/763nm可調諧激光二極管 760DBRH-TO8	760nm/763nm可調諧激光二極管由美國Photodigm公司生產，波長包含：767nm（K）、770nm（K）、780nm（Rb）、795nm（Rb）、852nm（Cs）、894nm（Cs）、1083nm（He）主要應用于氧氣探測、冷原子物理等領域。 760nm/763nm可調諧激光二極管將光柵放置于激光有源層一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊，能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。Photodigm公司的DBR激光二極管具有線寬窄（<1MHz）、穩(wěn)定性好、輸出功率大等優(yōu)點。目前已廣泛應用于科學研究、航空航天等領域。
	785nmDBR激光管 785DBRH-TO8	785nmDBR激光管是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。它可以提供衍射極限且單縱模輸出的激光光束，主要應用于拉曼光譜和光存儲等領域。 785nmDBR激光管將光柵放置于有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊，能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。另外，DBR激光二極管采用單步分子束外延生長而成，使生產成本更加低廉，并且保證了低內部損耗和高輸出功率。
	1064nm單頻激光器 1064DBRL-BF	1064nm單頻激光器由美國Photodigm公司生產，采用先進的單頻率激光芯片技術設計而成。可實現(xiàn)ps或ns超快脈沖輸出，具有極高的光譜純度、良好的下降沿和良好的勻稱性。非常適合于種子源應用。尤其是小于100ps的超快脈沖輸出使其具有極大的競爭優(yōu)勢。1064nm單頻激光器還可以連續(xù)輸出（CW），激光線寬小于1MHz，具有非常好的穩(wěn)定性。
	976nmDBR激光二極管 976DBR	976nmDBR激光二極管是基于Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。它可以提供衍射極限且單縱模輸出的激光光束，應用范圍包括：光譜學、差頻振蕩、Yb窄帶泵浦、替代低功率固體激光器等。 DBR激光二極管將光柵放置于激光有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的沖擊，能夠充分保證激光二極管的使用壽命和穩(wěn)定性。【976nmDBR激光二極管】
	Gain Chip (SAF、SOA) 激光芯片 780nm 795nm 852nm 894nm ECDL PHXXXSAF	Gain Chip (SAF、SOA) 激光芯片片-780nm/795nm/852nm/894nm 1.專為外腔半導體激光器（ECDL）設計，芯片側面角度化處理可有效降低腔面反射。 2.采用密封9mm封裝 3.寬光譜發(fā)射范圍 4.超高的腔面真空鈍化 SAF、SOA激光芯片