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上海邦景實(shí)業(yè)有限公司
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產(chǎn)品圖片	產(chǎn)品名稱/型號	產(chǎn)品簡單介紹
	MEGM kit	MEGM kit在實(shí)驗(yàn)過程中，根據(jù)要求可始終保持MEGM kit活力，并可長時(shí)間監(jiān)控、檢測甚至定量評估一部分活細(xì)胞的情況，包括活細(xì)胞的形態(tài)、結(jié)構(gòu)、生命活動等。
	CHO GROW CD2 培養(yǎng)基	CHO GROW CD2 培養(yǎng)基冷凍管置于已設(shè)定程序之可程序降溫機(jī)中每分鐘降1-3 ℃ 至–80 ℃ 以下，CHO GROW CD2 培養(yǎng)基再放入液氮槽vapor phase長期儲存。*-20 ℃不可超過1 小時(shí)，以防止冰晶過大，造成細(xì)胞大量死亡，亦可跳過此步驟直接放入-80℃ 冰箱中，惟存活率稍微降低一些。
	NeuroGro 神經(jīng)元培養(yǎng)基	NeuroGro 神經(jīng)元培養(yǎng)基冷凍管置于已設(shè)定程序之可程序降溫機(jī)中每分鐘降1-3 ℃ 至–80 ℃ 以下，NeuroGro 神經(jīng)元培養(yǎng)基再放入液氮槽vapor phase長期儲存。*-20 ℃不可超過1 小時(shí)，以防止冰晶過大，造成細(xì)胞大量死亡，亦可跳過此步驟直接放入-80℃ 冰箱中，惟存活率稍微降低一些。
	Medium M3基礎(chǔ)培養(yǎng)基	Medium M3基礎(chǔ)培養(yǎng)基冷凍管置于已設(shè)定程序之可程序降溫機(jī)中每分鐘降1-3 ℃ 至–80 ℃ 以下，Medium M3基礎(chǔ)培養(yǎng)基再放入液氮槽vapor phase長期儲存。*-20 ℃不可超過1 小時(shí)，以防止冰晶過大，造成細(xì)胞大量死亡，亦可跳過此步驟直接放入-80℃ 冰箱中，惟存活率稍微降低一些。
	角質(zhì)細(xì)胞無血清培養(yǎng)基	角質(zhì)細(xì)胞無血清培養(yǎng)基冷凍管置于已設(shè)定程序之可程序降溫機(jī)中每分鐘降1-3 ℃ 至–80 ℃ 以下，角質(zhì)細(xì)胞無血清培養(yǎng)基再放入液氮槽vapor phase長期儲存。*-20 ℃不可超過1 小時(shí)，以防止冰晶過大，造成細(xì)胞大量死亡，亦可跳過此步驟直接放入-80℃ 冰箱中，惟存活率稍微降低一些。
	MEM（無酚紅）基礎(chǔ)培養(yǎng)基	MEM（無酚紅）基礎(chǔ)培養(yǎng)基在實(shí)驗(yàn)過程中，根據(jù)要求可始終保持MEM（無酚紅）基礎(chǔ)培養(yǎng)基活力，并可長時(shí)間監(jiān)控、檢測甚至定量評估一部分活細(xì)胞的情況，包括活細(xì)胞的形態(tài)、結(jié)構(gòu)、生命活動等。
	MEM（無糖）基礎(chǔ)培養(yǎng)基	MEM（無糖）基礎(chǔ)培養(yǎng)基在實(shí)驗(yàn)過程中，根據(jù)要求可始終保持MEM（無糖）基礎(chǔ)培養(yǎng)基活力，并可長時(shí)間監(jiān)控、檢測甚至定量評估一部分活細(xì)胞的情況，包括活細(xì)胞的形態(tài)、結(jié)構(gòu)、生命活動等。
	MEM基礎(chǔ)培養(yǎng)基	MEM基礎(chǔ)培養(yǎng)基在實(shí)驗(yàn)過程中，根據(jù)要求可始終保持MEM基礎(chǔ)培養(yǎng)基活力，并可長時(shí)間監(jiān)控、檢測甚至定量評估一部分活細(xì)胞的情況，包括活細(xì)胞的形態(tài)、結(jié)構(gòu)、生命活動等。
	McCoy’s 5A基礎(chǔ)培養(yǎng)基	McCoy’s 5A基礎(chǔ)培養(yǎng)基冷凍管置于已設(shè)定程序之可程序降溫機(jī)中每分鐘降1-3 ℃ 至–80 ℃ 以下，McCoy’s 5A基礎(chǔ)培養(yǎng)基再放入液氮槽vapor phase長期儲存。*-20 ℃不可超過1 小時(shí)，以防止冰晶過大，造成細(xì)胞大量死亡，亦可跳過此步驟直接放入-80℃ 冰箱中，惟存活率稍微降低一些。
	M199基礎(chǔ)培養(yǎng)基	M199基礎(chǔ)培養(yǎng)基在實(shí)驗(yàn)過程中，根據(jù)要求可始終保持M199基礎(chǔ)培養(yǎng)基活力，并可長時(shí)間監(jiān)控、檢測甚至定量評估一部分活細(xì)胞的情況，包括活細(xì)胞的形態(tài)、結(jié)構(gòu)、生命活動等。
	L15基礎(chǔ)培養(yǎng)基	L15基礎(chǔ)培養(yǎng)基在實(shí)驗(yàn)過程中，根據(jù)要求可始終保持L15基礎(chǔ)培養(yǎng)基活力，并可長時(shí)間監(jiān)控、檢測甚至定量評估一部分活細(xì)胞的情況，包括活細(xì)胞的形態(tài)、結(jié)構(gòu)、生命活動等。
	IMDM基礎(chǔ)培養(yǎng)基	IMDM基礎(chǔ)培養(yǎng)基在實(shí)驗(yàn)過程中，根據(jù)要求可始終保持IMDM基礎(chǔ)培養(yǎng)基活力，并可長時(shí)間監(jiān)控、檢測甚至定量評估一部分活細(xì)胞的情況，包括活細(xì)胞的形態(tài)、結(jié)構(gòu)、生命活動等。
	F12K基礎(chǔ)培養(yǎng)基	F12K基礎(chǔ)培養(yǎng)基冷凍管置于已設(shè)定程序之可程序降溫機(jī)中每分鐘降1-3 ℃ 至–80 ℃ 以下，F(xiàn)12K基礎(chǔ)培養(yǎng)基再放入液氮槽vapor phase長期儲存。*-20 ℃不可超過1 小時(shí)，以防止冰晶過大，造成細(xì)胞大量死亡，亦可跳過此步驟直接放入-80℃ 冰箱中，惟存活率稍微降低一些。
	F12基礎(chǔ)培養(yǎng)基	F12基礎(chǔ)培養(yǎng)基冷凍管置于已設(shè)定程序之可程序降溫機(jī)中每分鐘降1-3 ℃ 至–80 ℃ 以下，F(xiàn)12基礎(chǔ)培養(yǎng)基再放入液氮槽vapor phase長期儲存。*-20 ℃不可超過1 小時(shí)，以防止冰晶過大，造成細(xì)胞大量死亡，亦可跳過此步驟直接放入-80℃ 冰箱中，惟存活率稍微降低一些。
	DMEM/F12（無酚紅）基礎(chǔ)培養(yǎng)基	DMEM/F12（無酚紅）基礎(chǔ)培養(yǎng)基冷凍管置于已設(shè)定程序之可程序降溫機(jī)中每分鐘降1-3 ℃ 至–80 ℃ 以下，DMEM/F12（無酚紅）基礎(chǔ)培養(yǎng)基再放入液氮槽vapor phase長期儲存。*-20 ℃不可超過1 小時(shí)，以防止冰晶過大，造成細(xì)胞大量死亡，亦可跳過此步驟直接放入-80℃ 冰箱中，惟存活率稍微降低一些。
	DMEM/F12（無糖）基礎(chǔ)培養(yǎng)基	DMEM/F12（無糖）基礎(chǔ)培養(yǎng)基冷凍管置于已設(shè)定程序之可程序降溫機(jī)中每分鐘降1-3 ℃ 至–80 ℃ 以下，DMEM/F12（無糖）基礎(chǔ)培養(yǎng)基再放入液氮槽vapor phase長期儲存。*-20 ℃不可超過1 小時(shí)，以防止冰晶過大，造成細(xì)胞大量死亡，亦可跳過此步驟直接放入-80℃ 冰箱中，惟存活率稍微降低一些。
	DMEM/F12基礎(chǔ)培養(yǎng)基	DMEM/F12基礎(chǔ)培養(yǎng)基冷凍管置于已設(shè)定程序之可程序降溫機(jī)中每分鐘降1-3 ℃ 至–80 ℃ 以下，DMEM/F12基礎(chǔ)培養(yǎng)基再放入液氮槽vapor phase長期儲存。*-20 ℃不可超過1 小時(shí)，以防止冰晶過大，造成細(xì)胞大量死亡，亦可跳過此步驟直接放入-80℃ 冰箱中，惟存活率稍微降低一些。
	MEM a 基礎(chǔ)培養(yǎng)基	MEM a 基礎(chǔ)培養(yǎng)基冷凍管置于已設(shè)定程序之可程序降溫機(jī)中每分鐘降1-3 ℃ 至–80 ℃ 以下，MEM a 基礎(chǔ)培養(yǎng)基再放入液氮槽vapor phase長期儲存。*-20 ℃不可超過1 小時(shí)，以防止冰晶過大，造成細(xì)胞大量死亡，亦可跳過此步驟直接放入-80℃ 冰箱中，惟存活率稍微降低一些。
	1640（無酚紅）基礎(chǔ)培養(yǎng)基	1640（無酚紅）基礎(chǔ)培養(yǎng)基在實(shí)驗(yàn)過程中，根據(jù)要求可始終保持1640（無酚紅）基礎(chǔ)培養(yǎng)基活力，并可長時(shí)間監(jiān)控、檢測甚至定量評估一部分活細(xì)胞的情況，包括活細(xì)胞的形態(tài)、結(jié)構(gòu)、生命活動等。
	1640（無糖）基礎(chǔ)培養(yǎng)基	1640（無糖）基礎(chǔ)培養(yǎng)基冷凍管置于已設(shè)定程序之可程序降溫機(jī)中每分鐘降1-3 ℃ 至–80 ℃ 以下，1640（無糖）基礎(chǔ)培養(yǎng)基再放入液氮槽vapor phase長期儲存。*-20 ℃不可超過1 小時(shí)，以防止冰晶過大，造成細(xì)胞大量死亡，亦可跳過此步驟直接放入-80℃ 冰箱中，惟存活率稍微降低一些。

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