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產(chǎn)品圖片	產(chǎn)品名稱(chēng)/型號(hào)	產(chǎn)品簡(jiǎn)單介紹
	霍爾效應(yīng)系統(tǒng)-高磁場(chǎng) JH60B	為本儀器系統(tǒng)專(zhuān)門(mén)研制的 JH10效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測(cè)量復(fù)雜的切換繼電器——開(kāi)關(guān)組裝成一體，大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。JH10可單獨(dú)做恒流源、微伏表使用。用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必備的工具。
	霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 JH60A	用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必備的工具。
	高溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng) JH60E	高溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)試材料: 半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
	霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)低溫型儀器 JH60D	霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)-低溫型可測(cè)試材料: 半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
	霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)-高低溫磁場(chǎng)型 JH60C	霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)-高低溫磁場(chǎng)型可測(cè)試材料: 半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等；高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
	霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)-高磁場(chǎng) JH60B	JH60B霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)-高磁場(chǎng)可測(cè)試材料: 半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；? 低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等；高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等
	霍爾效應(yīng)測(cè)試儀-電磁鐵型 JH60A	霍爾效應(yīng)測(cè)試儀-電磁鐵型可測(cè)試材料: 半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料，低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料，高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等

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