關鍵詞：電子行業，紅外顯微鏡，微小器件，空間分辨率
引言：史蒂芬是一個微小電子器件研究的專家，隨著納米技術的發展，目前的電子器件機械尺寸越來越小。在完成相同功能的基礎上，如何保證微小器件的工作時的溫度不超過其正常溫度是困擾其的一個重要問題。
如何實時、直觀并**的掌握微小器件的溫度值及其隨時間變化的情況成了*基礎和*重要的一步，在尋找多月后，他找到了英諾曼特.....
隨著納米技術的發展，其由上而下的微縮方式在半導體技術領域得到越來越多的應用。以前我們都稱 IC 技術是「微電子」技術，那是因為晶體管的大小是在微米（10-6米）等級。但是半導體技術發展得非常快，每隔兩年就會進步一個世代，尺寸會縮小成原來的一半，這就是有名的摩爾定律。大約在 15 年前，半導體開始進入次微米，即小于微米的時代，爾后更有深次微米，比微米小很多的時代。到了 2001 年，晶體管尺寸甚至已經小于 0.1 微米，也就是小于 100 納米。因此是納米電子時代，未來的IC大部分會由納米技術做成。
當前，電子器件主要失效形式就是熱失效。據統計，電子器件失效有55%是溫度超過規定值引起，隨著溫度增加，電子器件失效率呈指數增長。一般而言電子元器件的工作可靠性對溫度極為敏感，器件溫度在70-80度水平上每增加1度，可靠性就會下降5%。因此，需要快速可靠的對器件進行溫度的檢測。由于半導體器件的尺寸越來越小，對檢測設備的溫度分辨率和空間分辨率提出了更高的要求。
史蒂芬研究的微小器件的尺寸*小達到0.1mmX0.1mm，使用紅外點溫儀的話，只能測到某個區域的平均溫度對于他們的研究是遠遠不夠的，另外紅外點溫儀的*小光斑尺寸也很難做到0.1mm。如果使用普通的紅外熱像儀，按照英諾曼特的FI640（640X480像素）能測準溫度的*小尺寸也要0.5mm。經過英諾曼特工程師Bob和史蒂芬的多次溝通，我們為其制定了**的解決方案—英諾曼特紅外顯微鏡系統。
通過INNOPROs（英諾曼特的一個內部開發應用和流程軟件）建模和模擬實驗，我們*終為客戶提供了配有目前可實現的*小的空間分辨率的紅外鏡頭的**紅外顯微鏡系統。通過多次的現場調試和實驗拍攝了客戶非常滿意的紅外溫度熱圖（如下）.....
微電子的發展史：
1880年，愛迪生意外地發現在燈泡里加入一支電極，而將它連接到鎢絲的電源去，被加熱后的鎢絲會向電極放電產生電流，這個物理現象被稱為“愛迪生效應”。
1904年，曾擔任倫敦的愛迪生電燈公司顧問的英國科學家J.A.Fleming發明了用于無線電信中檢波器的真空二極管，這個重大發明的基礎就是“愛迪生效應”。Fleming將發明了的二極真空管取名Bulb，或稱Valve。 1946年2月14日，公認的世界上**臺電子計算機ENIAC在美國賓夕法尼亞大學誕生。這部機器使用了18800個真空管，長50英尺，寬30英尺， 占地1500平方英尺，重達30噸。它的計算速度為每秒5000次的加法運算。機器被安裝在一排2.75米高的金屬柜里，占地面積為170平方米左右，總重量達 到30噸。它的耗電量超過174千瓦，電子管平均每隔7分鐘就要被燒壞一只。
1947年12月，美國Bell實驗室的Shockley、Bardeen和Brattain等人發明了晶體三極管[2]。晶體管相較于真空管具有顯著的優越性能，因此晶體管促進并帶來了“固態**”，進而推動了全球范圍內的半導體電子工業。作為主要部件，它及時、普遍地首先在通訊工具方面得到應用，并產生了巨大的經濟效益。由于晶體管徹底改變了電子線路的結構，集成電路以及大規模集成電路應運而生。
1958年，Jack S. Kilby發明了集成電路方法[3]。在不超過4平方毫米的面積上，大約集成了20余個元件。1959年2月6日， Kilby向美國**局申報**，這種由半導體元件構成的微型固體組合件，被命名為“集成電路”（IC）。Kilby由此獲得2000年諾貝爾物理學獎。Farichild公司的 Robort Noyce和他的研發團隊則解決了大規模集成電路生產的關鍵技術問題。
1965年Intel公司的Moore博士發表論文 Cramming more components onto integrated circuits預言集成電路上能被集成的晶體管數目，將會以每18個月翻一番的速度穩定增長，并在今后數十年內保持著這種勢頭[4]。Moore的這個預言，因集成電路芯片后來的發展得以證實，并在較長時期保持著有效性，被人譽為“Moore定律”。 Moore定律一直指導著微電子產業的發展。
2002年，芯片的特征線寬已達到0.125 mm，，預計到2010年將達0.05 mm。根據Moore定律的要求，每16個月芯片的集成度要增加一倍，因此需要不斷的發展新的加工工藝，達到更高的加工精度。英特爾前總裁Craig Barrett認為：Moore定律還要有效至少20年。
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