目前在國內潔凈管道可參照標準比較少，通常我們除了參照《潔凈廠房設計規范》《氫氣站設計規范》《氫氧站設計規范》《壓縮空氣設計規范》等有關技術行業技術規范外，在業內我們慣用的選材與配管一般參照國際通用的行業標準： 

    在半導體體行業線寬越做越小，其對氣體純度、顆粒度、雜質含量、露點的要求也越來越高。表1是各線寬下對超純氮氣的要求 , R; G7 o; d! C! I
 
高純氮氣（PN2）：系統管道采用內壁電解拋光（EP）低碳（316L）不銹鋼管，閥門采用相同材質的波紋管閥或隔膜閥。 

氮氣（N2）：系統管道采用內壁電解拋光（EP）低碳（316L）不銹鋼管或光亮退火（BA）低碳（316L）不銹鋼管，閥門采用相同材質的波紋管閥或球閥。 " h+ N4 x" t% U. Q# H6 p" E 

高純氫氣（PH2）氫氣（H2）：系統管道采用內壁電解拋光（EP）低碳（316L）不銹鋼管，閥門采用相同材質的波紋管閥或隔膜閥。" |# B e v, c5 C 

氬氣（Ar）：系統管道采用內壁電解拋光（EP）低碳（316L）不銹鋼管，閥門采用相同材質的波紋管閥或隔膜閥。) O- _4 S5 T# E2 C 
氦氣（He）：系統管道采用內壁電解拋光（EP）低碳（316L不銹鋼管）閥門采用相同材質的波紋管閥或隔膜閥。* B$ N: H0 {% G 

特氣系統：必要的還需做雙套管：外管酸洗鈍化（AP）處理，內管電解拋光（EP），閥門采用相同材質的波紋管閥或隔膜閥。 
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壓縮空氣（CDA）：系統管道采用光亮退火（BA）低碳（316L）不銹鋼管，閥門采用相同材質的球閥（要求不高的公司亦可采用銅管，視工藝要求定） 

   對于特殊氣體來講，氣體品種多，有毒有害氣體多，原來是一機臺配一氣柜，高昂的裝備組合和維修費用大大增加了投資成本，且有的還布置在工藝間內，存在著泄漏的**隱患。現在廣泛采用集中供氣系統，氣柜集中，自控系統不斷完善，其報警、噴淋、切換、吹掃多較為成熟，特氣間也與工藝間隔離，并對房間有防爆要求，工作的**性大大提高。 
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   針對腐蝕性、毒性、燃燒性的氣體，通常設計將鋼瓶置于氣瓶柜(Gas Cabinet)內，再透過管路將氣體供應至現場附近的閥箱(VMB, Valve Manifold Box)，而后再進入制程機臺的使用點(POU, Point of Use)，于進入機臺腔體之前，會有獨立的氣體控制盤(GB, Gas Box)與制程控制模塊聯機，以質流控制器(MFC, Mass Flow Controller)進行流量之控制與進氣的混合比例控制，通常此氣體控制盤不屬于廠務系統的設計范疇，而是歸屬制程機臺設備的一部份。一般的惰性氣體則是以開放式的氣瓶架(Gas Rack)與閥盤(VMP, Valve Manifold Panel)進行供應。8 U/ U% k% h1 ^) P; R2 ?3 O! e 
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超潔凈不銹鋼管道、管件、閥門的定義% ?8 q& N: z7 A! e" @ 

用途：不銹鋼潔凈管道用于輸送半導體業中高純或超純潔凈氣體，及生物制藥產業中潔凈管道（各種水）。 

表面處理方式： 

RA 值的比較（Roughness Average,粗糙度平均值）' T2 L7 O* k" J7 v6 s 
材質 表面處理方式 內表面粗糙度平均值（µm） 
316L AP RA〈=1.0 
316L BA RA〈=0.8: E7 K+ L7 u- r 
316L EP RA〈=0.13-0.2