頻率元件石英晶振系列跟大多數電子元件器件一樣，都會有一定的老化過程。就說晶振方面，本身是屬于頻率元件，隨著時間越久頻率就會相差越大，一般情況下石英晶振本身的偏差大概是在1年5ppm的范圍。這樣的偏差還是正常環境中的正常誤差，有個別一些環境誤差相對來說就會更大了，比如在極冷的天氣和到炎熱的環境頻率的誤差相對就會比較大。
石英晶振頻率的老化率：在恒定的環境條件下測量頻率時，振蕩頻率和時間之間的關系。這種長期頻率漂移是由石英晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成的，因此，其頻率偏移的速率叫老化率，可用規定時限后的*大變化率（如±10ppb/天，加電72小時后），或規定的時限內*大的總頻率變化（如：±1ppm/（**年）和±5ppm/（十年））來表示。 晶振老化是因為在生產石英晶體的時候存在應力、污染物、殘留氣體、結構工藝缺陷等問題。應力要經過一段時間的變化才能穩定，一種叫“應力補償”的晶體切割方法（SC切割法）使晶體有較好的特性。

污染物和殘留氣體的分子會沉積在晶體片上或使晶體電極氧化，振蕩頻率越高，所用的晶體片就越薄，這種影響就越厲害。這種影響要經過一段較長的時間才能逐漸穩定，而且這種穩定隨著溫度或工作狀態的變化會有反復——使污染物在晶體表面再度集中或分散。因此，頻率低的晶振比頻率高的晶振、工作時間長的晶振比工作時間短的晶振、連續工作的晶振比斷續工作的晶振的老化率要好。
說明：TCXO的頻率老化率為：±0.2ppm～±2ppm（**年）和±1ppm～±5ppm（十年）（除特殊情況，TCXO很少采用每天頻率老化率的指標，因為即使在實驗室的條件下，溫度變化引起的頻率變化也將大大超過溫度補償晶體振蕩器每天的頻率老化，因此這個指標失去了實際的意義）。OCXO的頻率老化率為：±0.5ppb～±10ppb/天（加電72小時后），±30ppb～±2ppm（**年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。
短穩：短期穩定度，觀察的時間為1毫秒、10毫秒、100毫秒、1秒、10秒。
KDS晶振的輸出頻率受到內部電路的影響(晶體的Q值、元器件的噪音、電路的穩定性、工作狀態等)而產生頻譜很寬的不穩定。測量一連串的頻率值后，用阿倫方程計算。相位噪音也同樣可以反映短穩的情況(要有專用儀器測量)。

重現性：定義：晶振經長時間工作穩定后關機，停機一段時間t1(如24小時)，開機一段時間t2(如4小時)，測得頻率f1，再停機同一段時間t1，再開機同一段時間t2，測得頻率f2。重現性=(f2-f1)/f2。
頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準電壓調到規定的終點電壓，晶體振蕩器頻率的*小峰值改變量。
說明：基準電壓為＋2.5V，規定終點電壓為＋0.5V和＋4.5V，壓控振蕩器在＋0.5V頻率控制電壓時頻率改變量為-2ppm，在＋4.5V頻率控制電壓時頻率改變量為＋2.1ppm，則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±2ppm(2.5V±2V)，斜率為正，線性為+2.4%。
壓控頻率響應范圍：當調制頻率變化時，峰值頻偏與調制頻率之間的關系。通常用規定的調制頻率比規定的調制基準頻率低若干dB表示。
說明：有源晶振VCXO頻率壓控范圍頻率響應為0～10kHz。
頻率壓控線性：與理想（直線）函數相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量度，它以百分數表示整個范圍頻偏的可容許非線性度。
說明：典型的VCXO頻率壓控線性為：≤±10%，≤±20%。簡單的VCXO頻率壓控線性計算方法為(當頻率壓控極性為正極性時)：
頻率壓控線性＝±((fmax-fmin)/ f0)×100%
fmax：VCXO在*大壓控電壓時的輸出頻率
fmin：VCXO在*小壓控電壓時的輸出頻率
f0：壓控中心電壓頻率
單邊帶相位噪聲￡(f)：偏離載波f處，一個相位調制邊帶的功率密度與載波功率之比。
輸出波形：從大類來說，輸出波形可以分為方波和正弦波兩類。
方波主要用于數字通信系統時鐘上的，表晶體，32.768KHZ對方波主要有輸出電平、占空比、上升/下降時間、驅動能力等幾個指標要求。
隨著現在高科技技術迅速的發展，電話通信、衛星導航，雷達和無線高速數傳等產品中，需要高精度的信號源作為日趨復雜的基帶信息的載波。因為一個帶有寄生調幅及調相的載波信號（不干凈的信號）被載有信息的基帶信號調制后，這些理想狀態下不應存在的頻譜成份（載波中的寄生調制）會導致所傳輸的信號質量及數傳誤碼率明顯變壞。所以作為所傳輸信號的載體，載波信號的干凈程度（頻譜純度）對通信質量有著直接的影響。對于正弦波，通常需要提供例如諧波、噪聲和輸出功率等指標。
    當然相關的傳輸速度，以及無線通話，衛星導航的發射接收，很多方面靠的還是聲表面濾波器的濾波效果，當一些比較**的無線發射接收故障或者不穩定時，很多時候都是跟濾波有一定的箱關聯。