產品詳情
簡單介紹：
PECVD系統 等離子體化學氣相沉積系統是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。PECVD系統 等離子體化學氣相沉積系統主要由管式加熱爐體，真空系統，質子流量供氣系統，射頻等離子源，石英反應腔室等部件組成。
詳情介紹：
| PECVD系統 | ||||||||
| PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子體增強化學氣相沉積法。 | ||||||||
| 本設備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。 | ||||||||
| 本設備主要由管式加熱爐體，真空系統，質子流量供氣系統，射頻等離子源，石英反應腔室等部件組成。 | ||||||||
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主要特點： 1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態。 2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低。 3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小。 4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高。 5、廣泛應用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。 |
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| 系統選型 | ||||||||
| 項 目 | 推薦選型 | |||||||
| 管式加熱爐體 | ||||||||
| 石英反應腔室 | 根據需求選擇不同直徑的石英管作為反應室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等規格可選。 | |||||||
| 真空系統 | 根據需求選擇不同真空效果的真空系統。有DZK10-1（極限真空0.1Pa），GZK10-3（極限真空0.001Pa），以及進口高真空機組（極限真空0.0001Pa）供選擇。 | |||||||
| 質子流量供氣系統 | 根據需求選擇多路質子流量供氣系統。有兩路GQ-2Z，三路GQ-3Z，四路GQ-4Z，五路GQ-5Z或更多路供選擇。 | |||||||
| 射頻等離子源 | 根據需求選擇強度不同的射頻電源。有DLZ300（300W），DLZ500（500W）或更大功率的射頻電源供選擇。 | |||||||
| 常見PECVD系統組合 | 1. 1200度60滑軌式微型管式爐，低真空系統，四路質子流量供氣系統，300W射頻電源 | |||||||
| MXG1200-60S-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ300 | ||||||||
| 2. 1200度60滑軌式管式爐，低真空系統，四路質子流量供氣系統，500W射頻電源 | ||||||||
| MXG1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
| 3. 1200度60雙溫區滑軌式管式爐，低真空系統，四路質子流量供氣系統，500W射頻電源 | ||||||||
| MXG1200-60II-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
| 4. 1200度60三溫區滑軌式管式爐，低真空系統，四路質子流量供氣系統，500W射頻電源 | ||||||||
| MXG1200-60III-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
| 5. 1200度60微型預熱爐，1200度60滑軌式管式爐，低真空系統，四路質子流量供氣系統，500W射頻電源 | ||||||||
| MXG1200-60S，MXG1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 | ||||||||
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