半導體制造作為現代科技的核心領域，對生產環境的潔凈度、**性和工藝穩定性要求極 高。在晶圓片生產過程中，從切割研磨到氧化膜形成，再到光阻涂布等關鍵工序，均需依賴專業設備實現高效、**的工藝控制。SDG昭和電機SHOWA的防爆型馬達鼓風機及配套設備（如CRM系列粉塵油霧收集器、耐熱型電動鼓風機）憑借其技術優勢，成為保障半導體生產**與效率的核心裝備。

一、晶圓切割及研磨：CRM系列粉塵油霧收集器的精密凈化

1. 切割研磨工藝的挑戰

晶圓切割與研磨是半導體制造的首道工序，其核心是通過金剛石刀輪或研磨盤將硅錠切割為薄片并拋光至納米級平整度。此過程中，高速旋轉的刀輪與晶圓接觸會產生大量的粉塵及冷卻液油霧。若未及時回收，粉塵可能沉積在設備內部導致電路短路，油霧則可能引發火災或污染晶圓表面。

2. CRM系列的技術突破

SDG昭和電機的CRM系列粉塵油霧回收機采用三級過濾+離心分離技術：

一 級過濾：通過慣性碰撞原理捕集10μm以上大顆粒粉塵，效率達95%；

二級過濾：采用離心式分離器，利用氣流旋轉產生的離心力使2μm以上顆粒沉降；

三級過濾：HEPA高效濾網（過濾精度0.3μm）進一步凈化空氣，*終排放氣體潔凈度達ISO 4級（每立方米0.1μm顆粒數≤352個）。

應用案例：某12英寸晶圓廠應用CRM-3000型設備后，車間空氣中硅粉濃度從12mg/m3降至0.3mg/m3，設備故障率降低40%，晶圓表面缺陷率減少25%。

二、氧化膜形成：耐熱型電動鼓風機協助排除設備熱量

1. 氧化工藝的熱控需求

在晶圓氧化工序中，需通過高溫爐管（800-1200℃）使硅表面生成二氧化硅絕緣層。此過程中，爐內熱量若無法及時排出，會導致：

晶圓局部過熱引發翹曲；

設備內部元件因熱應力加速老化；

氧化膜厚度不均影響器件性能。

2. 耐熱型電動鼓風機的技術特性

SDG昭和電機的HT系列耐熱型電動鼓風機專為高溫環境設計：

材質升級：葉輪采用SUS316L不銹鋼，耐腐蝕性優于普通304不銹鋼，可長期接觸含氯氧化氣體；

軸承密封：雙層迷宮式密封結構，防止潤滑油揮發污染爐內氣氛；

溫控范圍：進氣溫度耐受達180℃，配合變頻調速技術（0-6000rpm），可精準控制爐內氣流速度（0.5-3m/s）。

應用案例：某8英寸晶圓廠采用HT-500型鼓風機后，爐內溫度均勻性從±5℃提升至±1.5℃，氧化膜厚度偏差從±3%縮小至±1%，設備壽命延長至原設計的1.8倍。

三、光阻液涂布：防爆型馬達鼓風機過剩溶劑的**排出

1. 光阻涂布的爆炸風險

光阻涂布是半導體制造中通過旋轉涂布將光刻膠均勻覆蓋在晶圓表面的關鍵工序。此過程中需使用大量有機溶劑，其揮發性成分（VOCs）濃度若超過爆炸下限（LEL）的25%，遇靜電或電火花即可能引發爆炸。

2. 防爆型馬達鼓風機的安 全設計

SDG昭和電機的ME-EC系列防爆型馬達鼓風機通過雙重防護機制實現本質**：

結構防爆：采用增安型（Ex e）防爆電機，外殼厚度達3mm鋁合金壓鑄，可承受內部爆炸壓力而不破裂；

電氣防爆：內置溫度傳感器與壓力釋放閥，當電機內部溫度超過155℃或壓力超過0.1MPa時，自動斷電并泄壓。

性能參數：

額定風量：4.5-16m3/min（50/60Hz雙頻）；

防爆等級：符合JIS B 8311標準，適用于1級/2級危險區域；

噪音控制：≤52dB（A計權），滿足潔凈室噪音標準。

四、系統集成與能效優化

1. SDG昭和電機的設備不僅具備單一功能優勢，更通過模塊化設計實現系統集成：

CRM系列支持立式/臥式/倒立式安裝，可與切割機、研磨盤直接對接；

HT系列配備法蘭式接口，可快速集成至氧化爐排氣系統；

ME-EC系列支持左右旋安裝，適配不同布局的涂布設備。

2. 能效優化數據：

相比傳統設備，ME-EC系列節能30%以上（以0.2kW功率運行，年節電量達1.6萬度/臺）；

CRM系列濾網清洗周期延長至2年，維護成本降低50%。

五、結語：技術驅動半導體制造升級

在半導體制造向7nm及以下先進制程邁進的背景下，SDG昭和電機的防爆型馬達鼓風機及配套設備通過精密凈化、熱管理、安 全控制三大核心技術，為晶圓片生產提供了全流程解決方案。與此同時，將助力半導體行業實現更高效率、更低風險、更可持續的發展。未來，隨著第三代半導體材料的興起，SDG昭和電機將進一步優化設備耐腐蝕性與高溫適應性，為功率器件、光電子芯片等新興領域提供更強大的工藝支持。