霍爾壓力傳感器是基于某些半導體材料的霍爾效應制成的。當磁場為一交變磁場時，霍爾電動勢也為同頻率的交變電動勢，建立霍爾電動勢的時間極短，一般只要10-12~10-4S，故其響應頻率高，可達100MHz。霍爾元件為四端元件，兩端用于輸入激勵電流，兩端用于輸出霍爾電動勢。
理想霍爾元件的材料要求要有較高的電阻率及載流子遷移率，以便獲得較大的霍爾電動勢。常用霍爾元件的材料大都是半導體，包括N型硅(Si)、銻化銦(InSb)、砷化銦InAs)、鍺(Ge)、砷化鎵GaAs)及多層半導體質結構材料，N型硅的霍爾系數、溫度穩定性和線性度均較好，砷化鎵溫漂小，目前應用。
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