一、稅收優(yōu)惠
對內(nèi)外資研發(fā)機構(gòu)采購用于研發(fā)、教學(xué)的國產(chǎn)設(shè)備全額退還增值稅。
二、適用研發(fā)機構(gòu)
1、財政部44號令規(guī)定的機構(gòu)
(1)科技部會同財政部、海關(guān)總署和國家稅務(wù)總局核定的科技體制改革過程中轉(zhuǎn)制為企業(yè)和進入企業(yè)的主要從事科學(xué)研究和技術(shù)開發(fā)工作的機構(gòu);
(2)國家發(fā)展和改革委員會會同財政部、海關(guān)總署和國家稅務(wù)總局核定的國家工程研究中心;
(3)國家發(fā)展和改革委員會會同財政部、海關(guān)總署、國家稅務(wù)總局和科技部核定的企業(yè)技術(shù)中心;
(4)科技部會同財政部、海關(guān)總署和國家稅務(wù)總局核定的國家重點實驗室和國家工程技術(shù)研究中心;
(5)財政部會同國務(wù)院有關(guān)部門核定的其他科學(xué)研究、技術(shù)開發(fā)機構(gòu)。
2、財政部45號令規(guī)定的機構(gòu)
(1)國務(wù)院部委、直屬機構(gòu)和省、自治區(qū)、直轄市、計劃單列市所屬專門從事科學(xué)研究工作的各類科研院所;
(2)國家承認(rèn)學(xué)歷的實施專科及以上高等學(xué)歷教育的高等學(xué)校;
(3)財政部會同國務(wù)院有關(guān)部門核定的其他科學(xué)研究機構(gòu)和學(xué)校。
3、財稅(2009)115號文規(guī)定的外資研發(fā)中心
(1)對2009年9月30日及其之前設(shè)立的外資研發(fā)中心，應(yīng)同時滿足下列條件：
A.研發(fā)費用標(biāo)準(zhǔn)：(1)對新設(shè)立不足兩年的外資研發(fā)中心，作為獨立法人的，其投資總額不低于500萬美元;作為公司內(nèi)設(shè)部門或分公司的，其研發(fā)總投入不低于500萬美元;(2)對設(shè)立兩年及以上的外資研發(fā)中心，企業(yè)研發(fā)經(jīng)費年支出額不低于l000萬元。
B.專職研究與試驗發(fā)展人員不低于90人。
C.設(shè)立以來累計購置的設(shè)備原值不低于1000萬元。
(2)對2009年10月1日及其之后設(shè)立的外資研發(fā)中心，應(yīng)同時滿足下列條件：
A.研發(fā)費用標(biāo)準(zhǔn)：作為獨立法人的，其投資總額不低于800萬美元;作為公司內(nèi)設(shè)部門或分公司的，其研發(fā)總投入不低于800萬美元。
B.專職研究與試驗發(fā)展人員不低于150人。
C.設(shè)立以來累計購置的設(shè)備原值不低于2000萬元。
具體審核辦法由商務(wù)部會同財政部、海關(guān)總署、國家稅務(wù)總局另行制定。
三、適用設(shè)備清單范圍
1、實驗環(huán)境方面
(1)教學(xué)實驗儀器及裝置;
(2)教學(xué)示教、演示儀器及裝置;
(3)超凈設(shè)備(如換氣、**、純水、凈化設(shè)備等);
(4)特殊實驗環(huán)境設(shè)備(如超低溫、超高溫、高壓、低壓、強腐蝕設(shè)備等);
(5)特殊電源、光源(如電極、開關(guān)、線圈、各種光源等);
(6)清洗循環(huán)設(shè)備;
(7)恒溫設(shè)備(如水浴、恒溫箱、**儀等);
(8)小型粉碎、研磨制備設(shè)備。
2、樣品制備設(shè)備和裝置
(1)特種泵類(如分子泵、離子泵、真空泵、蠕動泵、蝸輪泵、干泵等);
(2)培養(yǎng)設(shè)備(如培養(yǎng)箱、發(fā)酵罐等);
(3)微量取樣設(shè)備(如移液管、取樣器、精密天平等);
(4)分離、純化、濃縮設(shè)備(如離心機、層析、色譜、萃取、結(jié)晶設(shè)備、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器等);
(5)氣體、液體、固體混合設(shè)備(如旋渦混合器等)：
(6)制氣設(shè)備、氣體壓縮設(shè)備：
(7)專用制樣設(shè)備(如切片機、壓片機、鍍膜機、減薄儀、拋光機等)，實驗用注射、擠出、造粒、膜壓設(shè)備：實驗室樣品前處理設(shè)備;
(8)實驗室專用小器具(如分配器、量具、循環(huán)器、清洗器、工具等)。
3、實驗室專用設(shè)備
(1)特殊照相和攝影設(shè)備(如水下、高空、高溫、低溫等);
(2)科研飛機、船舶用關(guān)鍵設(shè)備和部件：
(3)特種數(shù)據(jù)記錄設(shè)備及材料(如大幅面掃描儀、大幅面繪圖儀、磁帶機、光盤機等)：
(4)特殊電子部件(如電路板、特種晶體管、專用集成電路等)：
(5)材料科學(xué)專用設(shè)備(如干膠儀、特種坩堝、陶瓷、圖形轉(zhuǎn)換設(shè)備、制版用于板、特種等離子體源、離子源、外延爐、擴散爐、濺射儀、離子刻蝕機，材料實驗機等)，可靠性試驗設(shè)備，微電子加工設(shè)備，通信模擬仿真設(shè)備，通信環(huán)境試驗設(shè)備;
(6)小型熔煉設(shè)備(如真空、粉末、電渣等)，特殊焊接設(shè)備;
(7)小型染整、紡絲試驗專用設(shè)備;
(8)電生理設(shè)備。
四、申報流程
1、享受采購國產(chǎn)設(shè)備退稅的研發(fā)機構(gòu)，應(yīng)在申請辦理退稅前持以下資料向主管退稅稅務(wù)機關(guān)申請辦理采購國產(chǎn)設(shè)備的退稅認(rèn)定手續(xù)。
(1)企業(yè)法人營業(yè)執(zhí)照副本或組織機構(gòu)代碼證(原件及復(fù)印件);
(2)稅務(wù)登記證副本(原件及復(fù)印件);
(3)退稅賬戶證明;
(4)稅務(wù)機關(guān)要求提供的其他資料。
本辦法下發(fā)前已辦理出口退稅認(rèn)定手續(xù)的，不再辦理采購國產(chǎn)設(shè)備的退稅認(rèn)定手續(xù)。
2、屬于增值稅一般納稅人的研發(fā)機構(gòu)購進國產(chǎn)設(shè)備取得的增值稅專用發(fā)票，應(yīng)在規(guī)定的認(rèn)證期限內(nèi)辦理認(rèn)證手續(xù)。2009年12月31日前開具的增值稅專用發(fā)票，其認(rèn)證期限為90日;2010年1月1日后開具的增值稅專用發(fā)票，其認(rèn)證期限為180日。未認(rèn)證或認(rèn)證未通過的一律不得申報退稅。
3、研發(fā)機構(gòu)應(yīng)自購買國產(chǎn)設(shè)備取得的增值稅專用發(fā)票開票之日起180日內(nèi)，向其主管退稅稅務(wù)機關(guān)報送《研發(fā)機構(gòu)采購國產(chǎn)設(shè)備退稅申報審核審批表》(見附件)及電子數(shù)據(jù)申請退稅，同時附送以下資料：
(1)采購國產(chǎn)設(shè)備合同;
(2)增值稅專用發(fā)票(抵扣聯(lián));
(3)付款憑證;
(4)稅務(wù)機關(guān)要求提供的其他資料。
不屬于獨立法人的公司內(nèi)設(shè)部門或分公司的外資研發(fā)中心采購國產(chǎn)設(shè)備，由總公司向其主管退稅稅務(wù)機關(guān)申請退稅。
4、采購國產(chǎn)設(shè)備的應(yīng)退稅額，按照增值稅專用發(fā)票上注明的稅額確定。凡企業(yè)未全額支付所購設(shè)備貨款的，按照已付款比例和增值稅專用發(fā)票上注明的稅額確定應(yīng)退稅款;未付款部分的相應(yīng)稅款，待企業(yè)實際支付貨款后再予退稅。
5、主管退稅稅務(wù)機關(guān)對已辦理退稅的增值稅專用發(fā)票應(yīng)加蓋“已申報退稅”章，留存或退還企業(yè)并按規(guī)定保存，企業(yè)不得再作為進項稅額抵扣憑證。
6、研發(fā)機構(gòu)已退稅的國產(chǎn)設(shè)備，由主管退稅稅務(wù)機關(guān)進行監(jiān)管，監(jiān)管期為5年。監(jiān)管期內(nèi)發(fā)生設(shè)備所有權(quán)轉(zhuǎn)移行為或移作他用等行為的，研發(fā)機構(gòu)須按以下計算公式，向主管退稅稅務(wù)機關(guān)補繳已退稅款。
應(yīng)補稅款=增值稅專用發(fā)票上注明的金額×(設(shè)備折余價值÷設(shè)備原值)×適用增值稅稅率
設(shè)備折余價值=設(shè)備原值-累計已提折舊
設(shè)備原值和已提折舊按企業(yè)會計核算數(shù)據(jù)計算。
五、本辦法執(zhí)行期限：2009年7月1日至2010年12月31日
公安機關(guān)備案號：
